京东方华灿光电恳求晶体管止境制作措施专利, 能调控晶体管阈值电压
发布日期：2024-12-23 10:12 点击次数：61
金融界2024年12月21日音信，国度常识产权局信息袒露，京东方华灿光电（浙江）有限公司恳求一项名为“晶体管止境制作措施”的专利，公开号CN119153331A，恳求日历为2024年7月。
专利选录袒露，本公开提供了一种晶体管止境制作措施，期货配资公司属于半导体器件范围。所述措施包括：在衬底上制作沟说念层；在所述沟说念层上制作势垒层；在所述势垒层上制作应力调控层，所述应力调控层在孕育历程施加的应力大小和厚度大小与所述晶体管的阈值电压大小关系；制作源极与漏极，所述源极步骤衔接所述应力调控层和所述势垒层与所述沟说念层买卖，所述漏极步骤衔接所述应力调控层和所述势垒层与所述沟说念层买卖；制作栅极，所述栅极位于所述应力调控层，且位于所述源极与所述漏极之间。
本文源自：金融界
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